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前沿数码资讯:SKHynix开始量产其新DRAM:HBM2E–每秒460GB以上

更新时间:2021-04-19 10:02:39

导读 科技、数码、互联网新闻如今都成为了大众所关注的热点了,因为在我们的生活当中如今已经是处处与这些相关了,不论是手机也好,电脑也好,

科技、数码、互联网新闻如今都成为了大众所关注的热点了,因为在我们的生活当中如今已经是处处与这些相关了,不论是手机也好,电脑也好,又或者是智能手表也好,与之都相关,那么今天小编也是为大家来推荐一篇关于互联网科技数码方向的文章,希望大家会喜欢哦。

SK海力士宣布在去年8月宣布开发新产品仅十个月后,就开始了大规模大规模生产高速DRAM'HBM2E'。SK Hynix的HBM2E基于每引脚3.6GBps(每秒千兆位)的速度性能,每秒支持460GB(千兆字节)以上的速度,具有1,024个I / O(输入/输出)。它是业界最快的DRAM解决方案,能够每秒传输124个FHD(全高清)电影(每个3.7GB)。

SK Hynix开始量产其新DRAM:HBM2E –每秒460GB以上

SK Hynix量产HBM2E DRAM-TSV通过垂直堆叠16 GB芯片实现更高的密度

通过TSV(Through Silicon Via)技术垂直堆叠八个16GB芯片,密度为16GB,是上一代产品(HBM2)的两倍多。TSV是一种互连技术,可通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片。

在将多个DRAM芯片堆叠在缓冲芯片上之后,它会通过贯穿整个硅片厚度的柱形路径传递数据,命令和电流。与现有的封装方法相比,它的尺寸最多可减少30%,功耗最多可减少50%。

SK Hynix开始量产其新DRAM:HBM2E –每秒460GB以上

HBM2E具有高速,大容量和低功耗的特点;它是下一代AI(人工智能)系统(包括深度学习加速器和高性能计算)的最佳内存解决方案,这些系统都需要高级计算性能。以下是SK海力士HBM2E存储器的一些关键点:

HBM(高带宽内存)

采用TSV技术的高性能,高带宽存储器产品大大加快了传统DRAM的数据处理速度。

TSV(通过硅通孔)

通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片的互连技术。

在缓冲芯片上堆叠多个DRAM芯片后,通过贯穿整个硅片厚度的柱形路径提供数据,命令和电流。

与现有的封装方法相比,尺寸最多可减少30%,功耗最多可减少50%。

数据处理速度转换的标准

1GB = 8Gb

每个引脚3.6Gbps,1024个数据I / O(输入/输出)= 3686.4Gbps

3686.4Gbps / 8 = 460.8GB / s(Gb-> GB转换)

此外,有望将其应用于Exascale超级计算机(一种高性能计算系统,每秒可以执行五百亿次计算),它将引领下一代基础和应用科学的研究,例如气候变化,生物军医和太空探索。

SK海力士执行副总裁兼首席营销官(JMO)Jonghoon Oh说:“ SK海力士一直走在技术创新的最前沿,为人类文明做出了贡献,取得了包括世界上第一个HBM产品开发在内的成就。”“随着HBM2E的大规模量产,我们将继续加强我们在高端存储器市场的影响力,并领导第四次工业革命。”

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