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三星推出了一个新的RAM模块，该模块在速度和容量方面展示了DDR5内存的潜力。三星表示，512GB DDR5模块是第一个使用High-K Metal Gate(HKMG)技术的模块，其速度为7200 Mbps，是DDR4的两倍以上。目前，这项技术针对的是数据渴求的超级计算机，人工智能和机器学习功能。但是，DDR5最终将找到通向普通PC的方式，从而加快游戏和其他应用程序的速度。

三星于2018年首次将HKMG技术与GPU中使用的GDDR6芯片一起使用。该产品由英特尔开发，使用ha代替硅，并使用金属代替了常规的多晶硅栅电极。所有这些都允许更高的芯片密度，同时减少电流泄漏。

每个芯片使用16 Gb DRAM芯片的八倍来获得128 Gb或16 GB容量。因此，三星将需要其中的32个来制造512GB RAM模块。三星表示，除了速度和容量更高之外，该芯片的功耗还比非HKMG模块低13%。这是数据中心的理想之选，但对于普通PC而言并不差。

三星最新的模块具有7200 Mbps的速度，将在单个通道上提供大约57.6 GB / s的传输速率。在三星的新闻稿中，英特尔表示该内存将与下一代“ Sapphire Rapids” Xeon可扩展处理器兼容。该架构将使用八通道DDR5内存控制器，因此我们可以看到具有高达460 GB / s的高内存传输速率的多TB内存配置。同时，随着AMD推出支持DDR5的Zen 4平台，第一批消费类计算机可能会在2022年问世。