在2021年第五届年度铸造论坛(SFF)期间，三星推出了基于全环栅(GAA)晶体管结构的3nm和2nm工艺节点路线图。该公司表示，基于3nm的芯片设计计划于2022年上半年开始生产，而基于2nm的芯片将于2025年到来。

三星一直在努力将其流程节点迁移到行业内最新的流程节点。3纳米工艺节点将同时采用GAA技术和多桥沟道FET (MBCFET)技术。与5nm工艺节点相比，面积减少35%，性能提高30%，功耗降低50%。

三星代工厂将于2022年开始为客户生产基于3nm的芯片设计，该公司还预计第二代3nm工艺将于2023年推出。

在2nm处，有消息称三星正处于MBCFET工艺节点开发初期，预计2025年开始量产。事实上，这意味着终端消费者将从2026年开始在设备中看到这些芯片。