在英特尔博客上的性能文章中，英特尔概述了其3D逻辑集成研究，该研究是在本周的IEEE IEDM 2019会议上介绍的。这项研究包括在硅FinFET上堆叠锗纳米带晶体管及其全方位互连，这将取代Foveros。

本博客由英特尔高级研究员兼组件研究总监Robert Chau撰写。他写道，他似乎已经忘记或克服了公司在10纳米技术方面的问题，他认为摩尔定律的未来比以往任何时候都更加光明。“现在有比我职业生涯中任何时候都多的创新技术可供选择。”(吉姆凯勒分享观点)。)

他认为摩尔定律的两个领域将在未来十年得到推广，他称之为全球标度和系统标度。前者由经典的晶体管缩放和创新驱动，后者由封装和互连的进步驱动。

在本周举行的一年一度的国际电子设备大会(IEDM)上，英特尔介绍了关于这两个主题的论文。这些缩放向量的共同点是，它们通过堆叠逻辑芯片甚至晶体管来使用三维。

3D集成已经在内存和存储空间中变得普遍(使用3D NAND、HBM和3D XPoint)，逻辑也紧随其后。比如今年，英特尔与Foveros一起推动了边界的发展，在22nm I/O基础芯片的基础上堆叠10nm逻辑芯片。

虽然不确定提议的研究是否会很快商业化，但我们可以看到该行业在未来几年将如何促进摩尔定律和集成电路的发展。