三星电子日前宣布，其第三代高带宽内存2e (HBM2E)“闪螺栓”将上市。全新16GB HBM2E特别适合最大化高性能计算(HPC)系统，帮助系统厂商及时提升自己的超级计算机、AI驱动的数据分析和最先进的图形系统。

三星推出了下一代HBM2E 16gb‘flashbolt’内存，其容量和性能都翻了一番。

全新Flashbolt准备提供上一代8GB hbm 2“Aquabolt”两倍的容量，还可以显著提升性能和能效，从而显著提升下一代计算系统。16GB容量是通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm(1y)16GB DRAM裸芯片实现的。

然后，HBM2E封装通过40，000多个“硅通孔”(TSV)微凸点的精确排列进行互连，每个16Gb芯片包含5，600多个这样的微孔。三星的Flashbolt通过采用专有的优化电路设计进行信号传输，提供了2 Gbps的高可靠数据传输速度，每个堆栈提供410GB/s的内存带宽。每个内存也可以堆叠多达12个内存芯片，每个堆栈可以通过1024位总线接口构成24 GB的容量。

三星的HBM2E也能达到2Gbps的传输速度，这是目前为止最大的测试数据速率。在未来的一些应用中，每个堆栈的带宽高达538 GB/s，这将比Aquabolt的307 GB/秒高75倍。

三星内存销售和营销执行副总裁Cheol Choi表示：“随着今天市场上性能最高的DRAM的推出，我们正在迈出关键的一步，以增强我们在快速增长的高端内存市场中作为领先创新者的角色。”电子产品。“随着我们巩固在全球内存市场的优势，三星将继续履行承诺，带来真正差异化的解决方案。”

三星有望在今年上半年开始量产。在整个高端存储市场加速向HBM解决方案转型之际，公司将继续提供第二代Aquabolt产品阵容，拓展第三代Flashbolt产品，并进一步加强与生态系统合作伙伴在下一代系统方面的合作。NVIDIA和AMD的下一代数据中心和HPC GPU很可能采用三星的HBM2E内存解决方案，这得益于其先进的技术。