兰开斯特大学的研究人员成功创造了一种非易失性闪存，其速度与DRAM一样快，但只消耗现代NAND或DRAM存储器写入位所需能量的1%。数据。根据《电子周刊》，这种内存称为UK III-V内存。

对于建立在20纳米光刻工艺上的栅电极，所需的功耗约为-17焦耳的10倍。英国III-V存储器的晶体管将处于典型的关断状态，给栅极充电大约需要5ns，耗尽大约需要3n，这两个数字都非常令人印象深刻。一旦这些数字通过控制器添加到产品中，它们可能会稍高，但这是效率的权衡选择。

单晶体管的发展还处于发展阶段，要转化为成熟的商业产品还有很长的路要走。然而，构建具有如此高效率和速度的非易失性存储器以与DRAM竞争的成就是可观的。“这个通道利用了In(Ga)As和GaSb的[Type [III]能带异常排列，其中InAs的导带低于GaSb的价带，”首席研究员Manus Hayne教授告诉《电子周刊》。

“这意味着即使在没有掺杂电子的情况下，电子也会从GaSb的整个价带流向InAs沟道的导带。以前是这样，但在这里我们缩小了In(Ga)As通道，因此它被限制为将通道状态的能量推到刚好高于GaSb价带，因此除非施加适当的电压，否则它不会被占用并处于正常关闭状态，这将使读数类似于闪光灯，并提供1 -0的出色读数，与我们以前的设备形成鲜明对比，允许它们以完全可寻址的阵列连接。”

拥有和DRAM一样快的非易失性内存很有意思，因为它可以用来构建PC，当系统完全关闭时，PC可以维护我们当前保存在RAM中的数据，因此它们可以从上次您中断的位置立即恢复，从满状态开始。这将消除对睡眠状态的需求，并且还允许系统在空闲时关闭随机存取存储器的电源，从而进一步降低功耗。

想到的问题是，英国III-V内存是否能处理通常会反复发生的DRAM重写。如果磨损是一个问题，它可能会摧毁使用非易失性随机存取存储器的计算机的任何梦想。