G.SKILL 针对主流级玩家市场，推出全新 RipjawsX DDR3-1600 CL7 8GB Kit 模组，型号为「 F3-12800CL7D-8GBXM 」，厂方把 SAMSUNG gDDR3 绘图卡记忆体颗粒，应用于主流级 DDR3-1600 记忆体模组产品中，除了达成 CL7 超低延迟值外，更拥有大幅度的时脉提升空间，为 G.SKILL 进军香港市场打响头炮。

RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM

G.SKILL 虽然深得港澳 PC 玩家喜受，但由于一直未有正式代理，一众玩家们难以在港澳市场购得 G.SKILL 産品，终于 ASROCK 与 ANTEC 的香港总代理 Felton 正式成为 G.SKILL 总代理，为港澳 PC 玩家们提供了优质的记忆体模组品牌选择。作为进军港澳市场的头炮，代理商 Felton 近期力拱主流级 RipjawsX DDR3-1600 C7 8GB Kit ，型号为「 F3-12800CL7D-8GBXM 」。

RipjawsX 是 G.SKILL 以高性能、高性价为设计原则的记忆体模组系列，支援 Intel XMP 技术能让玩家在 BIOS 透过简单的设定，就能提供最佳的性能体验。记忆体模组拥有一整排大大钢牙设计的铝金属散热外壳，其外型设计是经过风力测试，证明能提升散热表面面积，让记忆体模组运作时，气流能顺着记忆体散热片纹路下压贴近散热片，带走硬体运作时所产生的热能。

( 左 ) 蓝色铝散热外壳的 RipjawsX 代表中阶型号 ( 右 ) 规格为 DDR3-1600 CL7-8-8-24 1.5V

今次送测的 RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 採用了蓝色铝散热外壳，型号的最后一个英文符号「 M 」表示它属于主流级市场， RipjawsX 系列另备有红色及黑色铝散热器型号，英文符号「 L 」入门型号及「 H 」高阶型号。

採用 SAMSUNG gDDR3 颗粒

採用 SAMSUNG K4W2G0846P gDDR3 记忆体颗粒

RipjawsX F3-12800CL7D-8GBXM 支援 Intel XMP 技术，规格为 DDR3-1600 CL7-8-8-24 2T ，工作电压为 1.5V ，折下散热器后，可以看到记忆体模组採用 16 颗「 SAMSUNG K4W2G0846P-HC15 」记忆体颗粒，它原本是针对绘图卡应用的 gDDR3 颗粒，并非针对记忆体模组而生，但两者技术上是完全相容的。

SAMSUNG 记忆体颗粒的编号，开首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 产品，第 3 位编号代表类别，其中 B 代表 DDR3-SDRAM 系统记忆体、 W 则代表 gDDR3 SDRAM 绘图卡用记忆体。 G08 代表容量是 512Mb x 8 ，其 Refresh 时间为 64ms ，紧接编码为 4 是 8 Banks 颗粒， 6P 代表工作电压採用 SSTL_15 介面， vDD 、 vDDQ 工作电压均为 1.5V 、 Revision P-Die 颗粒。

( 左 ) 新一代的 G.SKILL 记忆体 PCB 刻蚀了「 GE 」字样 ( 右 ) F3-12800CL7D-8GBXM 採用 6 Layers PCB

后面「 HC15 」的 H 代表 96 ball FBGA 颗粒，採用 Halogen & Lead Free 环保制程， C 代表为正常商用颗粒， 15 代表其速度为 1.5ns 即 1333Mbps ， G.SKILL 透过筛选程序，打造成标準 Desktop 规格的 1.5V 工作电压下运作 DDR3-1600 C7 的记忆体模组産品。

G.SKILL 的 XMP 相较其他厂商进取，除了特选颗粒可运作于 CL7 外， Sub-Timing 设定亦相较其他厂商更紧，例如 DRAM REF Cycle Time 预设是 128 、 tWCL 预设为 7 ， TRDWR 、 TRDWR_dr 、 TRDWR_dd 均为 8 ，因此在性能上相较其他厂商预设的 XMP 设定有较佳的性能表现。

G.SKILL F3-12800CL7D-8GBXM 的 XMP 预设值