高通今日（9/15）宣布推出全新 Quick Charge 3.0 快速充电技术，首度採用「最佳电压智慧协商」（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, INOV）演算法，可让携带型装置随时自行判断最适合充电功率级别，最大化能源转换效率。Quick Charge 3.0 比起前一代 QC 2.0 提升最高 38% 的充电效率，并有额外的机制用以保护电池寿命週期。搭配并联充电模组，充电速度更能提升 27%。而比起第一代 Quick Charge 1.0，更能够提升两倍的充电速度。若以一般手机测试，通过 QC 3.0 充电只需约 35 分钟即可从 0% 增至 80%，若使用普通充电器，则可能需花费约 1.5 小时的时间。Quick Charge 3.0 现已上市，并可被选配于 Snapdragon 820、620、 618、617、430 等处理器中，并预计会 2016 年推出的行动装置上亮相。

▲高通今日（9/15）宣布推出全新 Quick Charge 3.0 快速充电技术。 除了以上改善，Quick Charge 3.0 在 QC 2.0 的基础上带来更多的灵活性，尤其是充电选择。Quick Charge 2.0 提供了四种充电电压（5V、9V、12V、20V），Quick Charge 3.0 则以每 200mV 为增量，于 6V 至 20V 的电压範围内提供不同电压的弹性选择。让手机可选择最适合的电压达到理想充电电流，进而将电能损耗最小化、提升充电效率并改善热表现。 ▲Quick Charge 3.0 比起前一代 QC 2.0 提升最高 38% 的充电效率，并有额外的机制用以保护电池寿命週期。搭配并联充电模组，充电速度更能提升 27% 充电速度。而比起第一代 Quick Charge 1.0，更能够提升两倍的充电速度。 Quick Charge 3.0 也具有前向及后向兼容的特性，可与先前的 Quick Charge 版本及各种连接埠如 USB Type-C 相容，同样支持超快速充电，拥有独立电路，提供 OEMs 更多选择弹性。Quick Charge 3.0 亦通过了UL认证，确保品质与安全符合标準。此外，Quick Charge 3.0 的改变与现行设计差异极小，可提供 OEMs 低成本的快速充电选项。营运商与 OEMs 皆受益于既有的 Quick Charge 生态圈。 ▲Quick Charge 3.0 技术宣传影片。