前沿数码资讯：三星发现可能导致半导体范式转变的非晶氮化硼

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三星高级技术学院(SAIT)的研究小组宣布，与蔚山国立科学技术学院(UNIST)和剑桥大学合作，发现了新材料-非晶氮化硼(a-BN)。

这家韩国巨头声称有可能加速下一代半导体的出现。非晶氮化硼(a-BN)由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。未来5年，可折叠智能手机将继续使用UTG和CPI：UBI Research

三星表示，无定形氮化硼是由白色石墨烯衍生而成的，其中包括以六角形结构排列的硼和氮原子，而a-BN的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。

非晶氮化硼具有1.78的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰。

该材料还可以在仅400°C的低温下以晶圆级生长。因此，这种新发现的材料有望广泛应用于半导体，例如DRAM，NAND解决方案，用于大型服务器的下一代存储解决方案。

三星技术研究院(SAIT)一直在研究和开发二维(2D)材料-具有单原子层的晶体材料。它一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了开创性的研究成果。SAIT一直在努力加速材料的商业化。

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