G.Skill宣布推出面向HEDT平台的全新四通道内存套件，包括英特尔X299和AMD TRX40，容量分别为64GB DDR4 RAM和256GB DDR4 RAM。256GB内存套件使用高密度32GB模块，以最大限度地增加系统内存。

G.Skill总共宣布了四个存储套件，未来还会有更多。其中两款专为英特尔X299设计，专注于模块速度4000 MHz。另一方面，另外两个套件是为采用低延迟模块的AMD TRX40平台设计的。

DDR 4-4000 CL15-16-16-36 64GB(8gb x8)内存规格在50V下将64GB内存套件中的高速和低延迟相结合，“以实现最高的内存性能”。该套件已在华硕ROG crash VI EXTREME ENCORE上通过验证，采用了英特尔酷睿i9-10900X处理器和专为高性能工作站设计的MSI Creator X299。

专为英特尔X299设计的256GB内存套件是8模块DDR4-4000 CL18-22-22-42套件，工作电压35V，非常适合内存不足的应用。这个套件的验证是使用英特尔酷睿i9-9920X和i9- 9820X CPU，分别搭配MSI Creator X299和华硕PRIME X299-DELUXE II主板。

对于TRX40平台，G.Skill为45V和64GB(8GBx8)TridentZ Neo内存套件设计了DDR4-3600 CL14-15-15-35低延迟规格。验证过程是使用最近发布的AMD锐龙Threadripper 3960X处理器和新的华硕ROG Zenith II至尊主板进行的。

至于AMD HEDT平台的256GB内存套件，有DDR 4-3600 cl16-19-19-39 256 GB(32gb x8)规格，电压为40V。和之前的工具包一样，它是用AMD锐龙Threadripper 3960X处理器和新的华硕ROG Zenith II至尊主板验证的。